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Journal of Xi'an Jiaotong University

紫外压印光刻中阻蚀胶残膜刻蚀工艺
史永胜，丁玉成，卢秉恒，刘红忠
(西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室，710049，西安)

摘要：针对紫外(UV)压印光刻在压印工艺过程中会产生阻蚀胶残膜的技术特点，采用以O₂为反应气体来清除阻蚀胶残膜的反应离子刻蚀(RIE)工艺方法，研究了不同的反应气体流量、反应腔室压力、射频功率等刻蚀参数对刻蚀速率和刻蚀各向异性的影响，得到了刻蚀速率和刻蚀各向异性随各刻蚀参数的变化趋势图．实验结果表明，减小反应气体压力和气体流速可以降低刻蚀速率，提高刻蚀各向异性．通过对刻蚀参数的优化配置，当射频功率在200W、反应气体流速在30mL/min、反应腔室压力为0.6Pa时，刻蚀速率可以稳定在265nm／min，各向异性值可以达到13，因此实现了对压印图质形的高质量转移．
关键词：紫外压印；阻蚀胶；残膜；反应离子刻蚀
中图分类号：TH112；TH113.1文献标识码：A文章编号：0253-987X(2006)11-1276-04