物理热蒸发法制备CdS／SiO2纳米线阵列和CdS纳米带
于灵敏，祁立军，范新会，严文
（西安工业学院材料与化工学院，710032,西安）
摘要:利用物理热蒸发法蒸发CdS和CdO的混合粉末，Si衬底表面发生了选择性刻蚀，并由此制备出CdS／SiO2纳米线阵列和CdS纳米带.研究了CdS／SiO2纳米线阵列的形成原因和CdS纳米带的生长过程，结果表明：CdS枝晶的生长对CdS／SiO2纳米线阵列的形成起到了非常重要的作用；CdS／SiO2纳米线阵列的形成符合“纳米电化学自组织机制”;CdS纳米带的生长过程为气-固过程.
关键词:CdS／SiO2纳米线阵列；CdS纳米带；纳米电化学自组织机制
中图分类号:TN383文献标识码:A文章编号:0253-987X(2006)01-0075-04