付前刚，李贺军，史小红，李克智，黄剑锋
（西北工业大学碳／碳复合材料工程技术研究中心,710072,西安）
摘要：利用化学气相沉积法在C／C复合材料表面制备了SiC涂层，并借助扫描电子显微镜和X射线衍射等手段对不同位置沉积产物的微观形貌、相组成以及厚度进行了测试．推导出了沉积位置与反应气源过饱和度的定性关系，分析了反应气源过饱和度对SiC涂层形貌、晶粒尺寸以及涂层厚度的影响．研究结果表明：沿着沉积炉内气体流动的方向，反应气源的过饱和度逐渐降低，沉积所得β-SiC涂层形貌由颗粒状向须状转变，晶粒尺寸与涂层厚度逐渐减小．
关键词：沉积位置；化学气相沉积；SiC涂层；微观组织
中图分类号：TB332文献标识码：A文章编号： 0253987X（2005）01004904