高潮1,吴洪才1,易文辉1,李宝铭1,董发昕2
（1.西安交通大学电子与信息工程学院,710049,西安;2.西北大学化学系,710069,西安)
摘要：为了研究侧链芳香基团对聚噻吩衍生物发光性能的影响,采用偶联反应合成了反应单体3-联苯基噻吩,然后在三氯化铁的氧化作用下聚合,得到了聚(3-联苯基)噻吩(PBPTH).通过红外光谱、紫外可见光谱以及核磁共振氢谱对材料的结构进行了表征.在紫外光谱上, PBPTH的最大吸收峰位于406 nm处,比聚(3-辛基)噻吩(P3OT) 的吸收峰蓝移了34 nm.在荧光光谱上,PBPTH的光致发光峰位于536.8 nm处,比 P3OT的发光峰蓝移了32 nm.研究结果表明:由于侧链联苯基的空间位阻作用,导致了聚合物共轭程度的降低,从而造成了吸收光谱和发光谱的蓝移;PBPTH的发光强度与P3OT相比有了明显的下降,说明联苯基生色团不足以补偿共轭程度降低对发光性能的影响.
关键词：聚(3-联苯基)噻吩;合成;发光
中图分类号：TN304.52;O631 文献标识码：A文章编号： 0253９８７Ｘ（２００4）121276０4