西  安  交  通  大  学  学  报
Vol.38 No.8

Journal of Xi'an Jiaotong University

Aug.2004

脉冲电流电磁场对淋巴细胞染色单体互换的影响
姚学玲1,陈景亮1,徐晓宙2,徐传骧1
(1.西安交通大学电气工程学院, 710049, 西安;2.西安交通大学生命科学与技术学院, 710049, 西安)
摘要:通过不同模式的脉冲电流电磁场(PCEMFs)对离体的人体外周血淋巴细胞进行电磁辐射,初步得出PCEMFs对淋巴细胞姊妹染色单体互换(SCE)影响的规律:细胞SCE和破坏的程度与PCEMFs的磁感应强度Bm及其变化梯度dB/dt呈正相关关系.提出了使细胞SCE发生变异的临界参考指标,其中Bm为0.15 T,dB/dt为1.8×10.4 T/s,破坏的临界参考指标分别为2.64 T和3.3×10.4 T/s,为强电流脉冲放电环境的电磁防护研究提供了实验依据.细胞SCE及破坏的程度和PCEMFs中电场和磁场的空间相对位置有关,电场和磁场相互垂直的PCEMFs对细胞的影响程度比其他结构形式的PCEMFs显著.
关键词:脉冲电流电磁场;姊妹染色单体互换;临界参考指标
中图分类号:Q64文献标识码:A文章编号: 0253987X(2004)08085505