向锋，李心平
(西安交通大学电子与信息工程学院,710049,西安）
摘要：利用简便的粉末反射光谱法,测量了不同烧结温度下ZnO压敏陶瓷的反射光谱,并对其影响机理进行了探讨．研究结果表明,同纯ZnO相比,压敏陶瓷反射光谱吸收边发生红移,红移量随烧结温度的提高而增大;吸收边斜率随着烧结温度升高而变小．吸收边的变化是烧结过程中ZnO晶粒表面包覆程度和元素相互扩散随温度变化的结果．高温烧结的试样在波长为566 nm、610 nm、650 nm处存在光反射谷，反射强度随烧结温度升高而降低．烧结过程中形成的界面层缺陷是反射谷形成的主要原因,缺陷类型与温度变化无关,浓度随烧结温度的升高而增大．
关键词：ZnO压敏陶瓷;烧结温度;反射光谱
中图分类号：TM283文献标识码：A文章编号： 0253987X（2004）06064104