西  安  交  通  大  学  学  报
Vol.38 No.2

Journal of Xi'an Jiaotong University

Feb.2004

绝缘体上硅高温压力传感器研究
张为,姚素英,张生才,赵毅强,张维新
(天津大学电子信息工程学院,300072,天津)
摘要:采用有限元分析工具ANSYS完成了一种矩形弹性膜绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器的优化设计,制作出样品,并与相同结构、工艺的多晶硅压力传感器进行了对比测试.结果表明:1∶2的膜片宽长比可以使SOI压力传感器的灵敏度达到220 mV/MPa,远大于多晶硅压力传感器的灵敏度(约50 mV/MPa).此外,该传感器能够工作在200 ℃的高温环境中,有良好的长期稳定性,30 d内的零点时间漂移为0.12%.
关键词:压力传感器;绝缘体上硅;高温;有限元分析
中图分类号:TN379文献标识码:A文章编号: 0253987X(2004)02017803