门极换向晶闸管的纵向结构研究
王颖 1,朱长纯 1,吴春瑜 1,白继彬 2
(1.西安交通大学电子与信息工程学院,710049,西安; 2.西安电力电子技术研究所, 710061, 西安)
摘要:基于对影响门极换向晶闸管(GCT)阻断能力的限制因素的理论分析,对其N基区的宽度进行了计算.结果表明,在同等耐压下,GCT所采用的硅片厚度较传统门极可关断晶闸管减薄约1/3.利用二维工艺模拟器对器件进行了二维工艺模拟,并对器件的纵向结构参数进行了优化. 采用湿法腐蚀工艺实现了门极和阴极的隔离结构,实验结果表明:当腐蚀的深度大于20 μm后,由于腐蚀反应生成的副产物阻止了腐蚀液与硅表面充分接触,使得腐蚀反应速率下降,且横向腐蚀宽度与纵向腐蚀深度的比值约为08,此结论也为GCT的横向参数设计提供了重要的依据.
关键词:隔离结构;工艺模拟;腐蚀
中图分类号: TN342.4文献标识码:A文章编号: 0253-987X(2003)08-0849-04