孙济洲, 李小图, 吴霞宛, 王洪儒
(天津大学电子信息工程学院, 300072, 天津)
摘要:以氧化钴及钛酸钙作为添加剂对Mg-Si-Ti高频低介陶瓷系统进行离子掺杂, 并运用扫描电镜和X射线衍射对钴、钙离子的改性机理以及两添加剂的最佳配比进行分析．研究表明:适量的钴离子作为晶粒抑制剂和矿化剂, 减少了系统缺陷, 使系统微观结构排列整齐、致密, 显著地使损耗从113×10-4降低至015×10-4, 同时使烧结温度降低了近40 ℃。适量的钙离子掺杂在保证了其他介电性能的前提下可以有效地优化系统介电常数和电容量温度性能．该瓷料特别适于制成片式多层陶瓷电容器用于航空、航天、国防军事等尖端技术领域．
关键词:氧化钴;钛酸钙;离子掺杂
中图分类号:TM281文献标识码:A文章编号: 0253-987X(2003)06-0604-04