第36卷  第6期      西 安 交 通 大 学 学 报 Vol.36 No6
2002年6月

Journal of Xi'an Jiaotong Universtity

Jun 2002

晶体硅太阳电池的氮化硅表面钝化研究
杨宏1,王鹤1,于化丛2,奚建平2,胡宏勋2,陈光德1
(1.西安交通大学理学院,710049,西安;2.上海交通大学太阳能研究所)
engl.gif (1752 字节)zfh.gif (1500 字节)
摘要:
为了提高晶体硅太阳电池的光电转换效率,研究了用等离子增强化学气相沉积(PECVD)的SiNx:H作为晶体硅太阳电池的表面钝化及减反射膜对电池性能的影响,并采用不同的工艺路线制备了不同类型的电池.实验发现:同SiNx:H比较,SiNx:H/SiO2双层光学减反射结构对晶体硅太阳电池能起到更加有效的表面钝化作用,提高了太阳电池的光电转换效率.基于界面物理,提出了一种新的能带模型,解释了用不同实验方法制作的晶体硅太阳电池性能的差异.
关键词:太阳电池;表面钝化;SiNx:H;等离子增强化学气相沉积
中图分类号:TM914.4